香港《南华早报》网11月29日发表题为《美中技术战：随着注意力转向成熟产品，中国暂缓在先进芯片方面的追赶努力》的文章称，据分析人士和业内人士称，中国在努力实现半导体“自力更生”的过程中被迫修改路线，暂时搁置追赶世界上最先进芯片制造商的目标，转而注重提高成熟技术的产量。 

这种转变显示，北京可能寻求减少对美国技术的依赖。尽管中国领导层表明了坚定的政治意愿，政府给予慷慨的财政支持，国内参与者也表现出了极大热情，但中国正面临严峻的现实，即它很快在先进芯片领域实现自给自足的可能性很小。 

一方面，中国可以通过提高用于汽车和家用电器的低端芯片产量来缓解供应短缺，但另一方面，中国至少在未来几年中必须依靠台积电和三星等代工厂来制造先进芯片，即使中国自己的公司能设计这些高端芯片。 

美国投行摩根大通公司亚太地区负责科技、媒体和通信研究的联席主管戈克尔·哈里哈兰说：“在前沿领域，中国企业要想迎头赶上将变得更加困难。”他还说，不过，老一代技术的市场仍然有前途，中国企业在此类市场中也有潜力。 

中芯国际是中国最先进的芯片制造商，它可以生产14纳米芯片，并且正在建造新工厂生产28纳米芯片。虽然对这些更成熟产品的需求强劲，但中芯国际在前沿领域落后于先进参与者好几代。 

在10纳米以下的芯片领域，全球只有3家芯片制造商——台积电、三星和英特尔——在竞争。这意味着中国企业有理由把资源集中在拥有现成市场和强劲需求的成熟技术上。中芯国际表示，2021年的大部分资本支出将用于提高成熟产品的产能。 

龙洲经讯公司研究部门分析师蒂利·张（音）在研究报告中写道：“中国要在未来几年内追赶上全球尖端芯片制造商的实力，这不现实。” 

造成这一局面的一个关键原因是，中国无法获得由荷兰阿斯麦控股公司（ASML）垄断技术的极紫外光刻机。要生产7纳米及以下芯片，需要这种光刻机。 

由于美国担心中国军方会使用这一技术从而对中国实施制裁，中国国内芯片制造商以及SK海力士公司等外国公司在中国内地经营的工厂均无法采购到这种先进设备。 

中国唯一的光刻机制造商是获国家支持的上海微电子装备（集团）股份有限公司，其设备只能生产90纳米芯片。 

摩根大通的哈里哈兰说，在光刻机、化学气相沉积和离子注入工艺等关键设备领域，“有一些中国公司在做所有这些，但这需要时间。在大多数领域，它们落后了好几代”。 

即使没有希望很快掌握先进芯片技术，但得益于政府资金、健康的国内市场以及华为等大型科技公司对芯片的需求，中国半导体产业的产量在过去几年里迅速增长。